Livrare gratuită în toată țara veți primi la toate comenzile online în valoare de peste 300 RON (fără TVA).

AP9997GJ

Numele produsului Comet: AP9997GJ
Nume producator: AP9997GJ-HF-3TB
Producator: ADVANCED POWER ELECTR. CO (114)
Categorie: Transistors (797)
Subcategorie: Transistors FET - MOSFET (416)
Capsula: TO-251
Descriere: NMOS 100V 11A 34.7W 120mOhm/10V; 200mOhm/4.5V
Cod comanda: 18516
Imaginile sunt doar in scop ilustrativ!
Specificatii
Producator
ADVANCED POWER ELECTR. CO
Type
NMOS
Package
IPAK, TO251
VDSS max
100 V
On resistance
0.12 Ω
Maximum Drain current
11 A
Maximum power dissipation
34.7 W
Power groups
Middle power 20 ÷ 100 W
Fisiere atasate
Pret unitar fara TVA
Raportați eroarea
Vă mulțumim că ne ajutați cu site-ul nostru.
Vă rugăm să furnizați cât mai multe detalii puteți cu privire la problema pe care ați găsit-o.
Această problemă se referă la: AP9997GJ

* Tipul erorii:

Informații suplimentare:

Dacă doriți să fiți contactat în legătură cu această problemă, vă rugăm să introduceți adresa dvs. de e-mail îm rândurile de mai jos.

 

Link la pagina curentă:
Disponibilitate
Bulgaria
0
Notificare stoc
Va multumim pentru interesul acordat acestui produs.
Denumire produs: AP9997GJ
Va vom trimite o notificare pe e-mail imediat ce acest produs este din nou in stoc.

 


Scroll to top