0

Livrare gratuită în toată țara veți primi la toate comenzile online în valoare de peste 500 RON (fără TVA), în limita a 15 kg per comandă.

Cod:
Denumire produs:
{$prname1}



Campurile marcate cu * sunt obligatorii!
{#Order end time#} {#Delivery end time#}
09:30 11:30
10:30 12:30
13:30 15:30
14:30 16:30

AP9997GJ

  • NMOS 100V 11A 34.7W 120mOhm/10V; 200mOhm/4.5V
Numele produsului Comet: AP9997GJ
Nume producator: AP9997GJ-HF-3TB
Producator: ADVANCED POWER ELECTR. CO (115)
Categorie: Transistors (813)
Subcategorie: Transistors FET - MOSFET (424)
Capsula: TO-251
Descriere: NMOS 100V 11A 34.7W 120mOhm/10V; 200mOhm/4.5V
Cod comanda: 18516
Imaginile sunt doar in scop ilustrativ!
Specificatii
Producator
ADVANCED POWER ELECTR. CO
Type
NMOS
Package
IPAK, TO251
VDSS max
100 V
On resistance
0.12 Ω
Maximum Drain current
11 A
Maximum power dissipation
34.7 W
Power groups
Middle power 20 ÷ 100 W
Fisiere atasate
Pret unitar fara TVA
buc. USD
1 0.45454
5 0.31818
25 0.29545
100 0.27273
500 0.25252

Pachet: 960
In cazul in care comandati cantitate multiplu de unitate de impachetare, aceasta va grabi procesarea comenzii dumneavoastra.

Intreaba
Alege moneda
MFrz
RON
EUR
USD
Raportați eroarea
Vă mulțumim că ne ajutați cu site-ul nostru.
Vă rugăm să furnizați cât mai multe detalii puteți cu privire la problema pe care ați găsit-o.
Această problemă se referă la: AP9997GJ

* Tipul erorii:

Informații suplimentare:

Dacă doriți să fiți contactat în legătură cu această problemă, vă rugăm să introduceți adresa dvs. de e-mail îm rândurile de mai jos.

 

Link la pagina curentă:
Disponibilitate
Bulgaria
0
Notificare stoc
Va multumim pentru interesul acordat acestui produs.
Denumire produs: AP9997GJ
Va vom trimite o notificare pe e-mail imediat ce acest produs este din nou in stoc.

 


Scroll to top